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《科技》去年DRAM產值年增76%,今年估生长逾3成

来源:科普资讯 编辑:公众网 时间:2018-02-14

2018年02月14日 08:01 时报资讯

【时报记者沈培华台北报导】

按照TrendForce记忆体储存研讨(DRAMeXchange)考查显露,2017年第四季DRAM產值较前一季再生长14.2%,全年產值生长率达76%。2018年DRAM產业產值将生长穿过3成,范围达960亿美元。

2017年第四季的DRAM產业营收再创歷史新高。从价格来看,行动式记忆体接棒涨价,以及智谋型手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的DRAM厂拉抬行动式记忆体报价,带动行动式记忆体在第四季有5-20%的涨幅,其余各种DRAM產品合约价较前季再上涨5-10%。

DRAMeXchange资深研讨协理吴雅婷指出,瞻望2018年第一季,PC-OEM厂已持续议定合约价格,就一线年夜厂订价来看,PC DRAM都价已来到33美元,较上一季都衡涨幅约5%;北美四年夜网路办事供给业者为首的材猜中心拉货动能仍强,带动本季伺服器记忆体价格上涨3-5%。至于智谋型手机第一季买气较原先预计低迷,加上NAND削价与中国发改委因素影响,行动式记忆体价格涨幅较先前收敛,都衡价格小涨约3%。

从全体產值来看,DRAMeXchange预估,2018年DRAM產业產值将生长穿过3成,范围达960亿美元。

观望各厂2017年第四季营收表现,三星稳坐DRAM產业的龙头,营收达101亿美元,季生长14.5%,再次创下歷史新高;SK海力士营收衝至63亿美元,较前季生长14.1%,两年夜韩厂的市占率各为46.0%与28.7%,合计已囊括74.7%的市占率;美光集团维持第三,营收46亿美元,季增13.4%,市占20.8%。

瞻望2018年第一季,受惠于DRAM价格继续上涨与制程转进所带来的本钱效果,三年夜厂营收可望再改革猷,获利率也可望提升。

从技术面来看,三星今年的指标除了继续提升18奈米制程的產出比重外,为期近两年DRAM涨价带动DRAM供应商的高获利,以及中国潜在角逐者的参加,也让三星取舍排开新一波的扩產计画,将底本筹谋做NAND Flash的平泽厂二楼微博投入生產DRAM,一方面因应DRAM提供吃紧情况,另一方面藉由削减将来NAND Flash的投片量,来压抑NAND Flash的削价速度,对此,DRAMeXchange指出,此举对全体记忆体產业属康健进步,而并非坏事。

SK海力士去年终开放导入18奈米的生產,然而,步入1X奈米世代制程难度高、改变异常难,SK海力士目前仍致力于提升18奈米良率;SK海力士最快要到2019年才会在中国没有锡新建的第二座12吋厂看到產能开出。

美光在技术结构方面,台湾美光记忆体(原瑞晶)17奈米目前產出比重已穿过9成,估量今年第二季初将完毕改变,台湾美光晶圆科技(原华亚科)计画今年中开放往17奈米改变,估量今年年终将可望有一半產能转往17奈米生產,并于明年下半年全数导入。

台系厂商有些,南亚科(2408)2018年第四季营收季生长26.9%,主要归功于20奈米改变良率超乎预计,以及价格继续走扬。20奈米的本钱效果拉升营业利益率至38.9%,季生长7个百分点。瞻望将来,由于20奈米良率连续提升,将继续改进本钱布局,增长获利微博。

力晶科技(5346)2017年第四季DRAM营收持平,主假如替晶豪科、爱普等IC谋划业者代工的获利较佳,力晶自己DRAM產能转向更高毛利的產品。

华邦电(2344)上季DRAM营收则下滑2.2%,主因为DRAM產能受到NOR Flash產能压缩所导致。

(时报资讯)

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